[发明专利]一种单体共聚促进iP-1-B直接从熔体形成I′晶的方法有效
| 申请号： | 201710003014.2 | 申请日： | 2017-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN108264596B | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 李景庆;蔡晓倩;蒋世春;尚英瑞 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C08F210/08 | 分类号： | C08F210/08;C08F210/06;B29C43/02 |
| 代理公司： | 天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙) 12214 | 代理人： | 王秀奎;谢萌 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 单体 共聚 促进 ip 直接 体形 方法 | ||
1.一种单体共聚促进iP-1-B直接从熔体形成I′晶的方法，其特征在于，采用丙烯单体和1-丁烯进行共聚形成单体共聚的iP-1-B，丙烯投料百分比3-5％，丙烯投料百分比＝丙烯投料质量/丙烯和1-丁烯的投料质量之和，按照下述步骤进行：
步骤1，将转变为I晶的单体共聚的iP-1-B升温至200-220摄氏度并保温，以使单体共聚的iP-1-B中丙烯晶型和iP-1-B晶型熔融，再以10-15℃/min降温到室温得到II晶和少量I'晶；
步骤2，将步骤1得到的含有II晶和少量I'晶的单体共聚的iP-1-B升温至II晶的熔融温度并保温，降温至室温，完成一个加热保温降温的过程，反复升降温操作即可提升单体共聚的iP-1-B中晶型I′的比例，加热保温降温的过程包括：自室温20-30摄氏度以20-30℃/min升温至124±1摄氏度并恒温保温2-10min，以使II晶全部熔融，再10-15℃/min降温室温20-30摄氏度，保温时间为2-10min。
2.根据权利要求1所述的一种单体共聚促进iP-1-B直接从熔体形成I′晶的方法，其特征在于，在步骤1中，利用linkam热台控温，以5-10℃/min升温到200-220℃并保温3-5min，再以10-15℃/min降温到室温20-30摄氏度。
3.根据权利要求1所述的一种单体共聚促进iP-1-B直接从熔体形成I′晶的方法，其特征在于，在步骤2中，自室温20-30摄氏度以20-30℃/min升温至124±1摄氏度并恒温保温2-5min，以使II晶全部熔融，再10-15℃/min降温室温20-30摄氏度，保温时间为2-5min。
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