[发明专利]高光电变换效率太阳能电池及高光电变换效率太阳能电池的制造方法

摘要

本发明是一种太阳能电池，在结晶硅基板的第1主表面，配置具有p型导电型的p型区域、与具有n型导电型且赋予n型导电型的添加不纯物的基板深度方向的最大浓度为5×10¹⁸atoms/cm³以上的n型区域，以覆盖p型区域与n型区域的方式配置第1保护膜，在第1主表面的相反侧的表面即第2主表面，以覆盖第2主表面的方式配置第2保护膜的背面电极型太阳能电池，其特征是第1保护膜与第2保护膜是由包含氧化铝的化合物所构成的太阳能电池。由此，提供便宜且光电变换效率高的太阳能电池。

主权项

1.一种太阳能电池，其特征在于，在结晶硅基板的第1主表面，配置具有p型导电型的p型区域、与具有n型导电型且赋予该n型导电型的添加不纯物的基板深度方向的最大浓度为5×10¹⁸atoms/cm³以上的n型区域，以覆盖前述p型区域与前述n型区域的方式配置第1保护膜，在前述第1主表面的相反侧的表面即第2主表面，以覆盖该第2主表面的方式配置第2保护膜的背面电极型太阳能电池，前述第1保护膜与前述第2保护膜是由包含氧化铝的化合物所构成之物。