[发明专利]高光电变换效率太阳能电池及高光电变换效率太阳能电池的制造方法

权利要求书

1.一种太阳能电池，其特征在于，

在结晶硅基板的第1主表面，配置具有p型导电型的p型区域、与具有n型导电型且赋予该n型导电型的添加不纯物的基板深度方向的最大浓度为5×10¹⁸atoms/cm³以上的n型区域，以覆盖前述p型区域与前述n型区域的方式配置第1保护膜，在前述第1主表面的相反侧的表面即第2主表面，以覆盖该第2主表面的方式配置第2保护膜的背面电极型太阳能电池，

前述第1保护膜与前述第2保护膜是由包含氧化铝的化合物所构成之物。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，

前述第2主表面的至少一部分，具有与前述结晶硅基板的块体的导电型及导电率相同的导电型及导电率。

3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池，其中，

在前述第2保护膜上、进而配置反射防止膜。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的太阳能电池，其中，

在前述第1保护膜上、进而配置反射膜。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的太阳能电池，其中，

前述反射防止膜及前述反射膜，包含氧化硅、氟化镁、氮化硅、氧化锡、及氧化钛的至少任何一种。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的太阳能电池，其中，

前述第一主表面的前述p型区域的占有面积比前述n型区域的占有面积还大。

7.一种太阳能电池模块，其特征在于，

将权利要求1至6中任一项所述的太阳能电池电性地连接而成的太阳能电池模块。

8.一种太阳能电池发电系统，其特征在于，

将权利要求7所述的太阳能电池模块电性地多个连接而成的太阳能电池发电系统。

9.一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，

具有：在结晶硅基板的第1主表面、形成具有p型导电型的p型区域的步骤，在前述第1主表面、形成具有n型导电型且赋予该n型导电型的添加不纯物的基板深度方向的最大浓度为5×10¹⁸atoms/cm³以上的n型区域的步骤，以覆盖前述p型区域与前述n型区域的方式形成第1保护膜的步骤，在前述第1主表面的相反侧的表面即第2主表面、以覆盖该第2主表面的方式形成第2保护膜的步骤，形成接在前述p型区域的表面的正电极的步骤，与形成接在前述n型区域的表面的负电极的步骤的背面电极型太阳能电池的制造方法，将前述第1保护膜与前述第2保护膜、利用包含氧化铝的化合物来形成。

10.根据权利要求9所述的太阳能电池的制造方法，其中，

具有在前述第2保护膜上、进而形成反射防止膜的步骤。

11.根据权利要求9或10所述的太阳能电池的制造方法，其中，

具有在前述第1保护膜上、进而形成反射膜的步骤。

12.根据权利要求9至11中任一项所述的太阳能电池的制造方法，其中，

形成前述正电极的步骤及形成前述负电极的步骤，具有在前述第1保护膜或前述反射膜上涂布导电性糊的子步骤，与将已涂布前述导电性糊的前述结晶硅基板、在700℃以上890℃以下的温度于1秒以上10分钟以下进行热处理的子步骤。