[发明专利]太阳能电池单元的评价用基板以及太阳能电池单元的评价方法在审
| 申请号： | 201680087244.5 | 申请日： | 2016-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN109463041A | 公开（公告）日： | 2019-03-12 |
| 发明（设计）人： | 森川浩昭;米泽雅人;西村邦彦;太田成人 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H02S50/10 | 分类号： | H02S50/10;H01L31/068 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 孙蕾 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 太阳能电池单元的评价用基板具备：第1导电类型的半导体基板；多个细长形状的栅格杂质区域，设置于半导体基板的第1表面，在与成为评价对象的太阳能电池单元的栅格电极的形状对应的区域以第1杂质浓度具有第2导电类型的杂质；以及栅格间杂质区域，设置于半导体基板的第1表面，在宽度方向上相邻的栅格杂质区域之间的区域以比第1杂质浓度低的第2杂质浓度具有第2导电类型的杂质。太阳能电池单元的评价用基板具备：第1杂质浓度测定区域，设置于半导体基板的第1表面，具有栅格杂质区域的间隔以上的大小，以第1杂质浓度具有第2导电类型的杂质；以及第2杂质浓度测定区域，设置于半导体基板的第1表面，具有栅格杂质区域的间隔以上的大小，以第2杂质浓度具有第2导电类型的杂质层。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池单元 半导体基板 导电类型 杂质区域 栅格 基板 杂质浓度测定 评价对象 细长形状 形状对应 栅格电极 杂质层 | ||
【主权项】：
1.一种太阳能电池单元的评价用基板，其特征在于，具备：第1导电类型的半导体基板；多个细长形状的栅格杂质区域，设置于所述半导体基板的第1表面，在与成为评价对象的太阳能电池单元的栅格电极的形状对应的区域以第1杂质浓度具有第2导电类型的杂质；栅格间杂质区域，设置于所述半导体基板的所述第1表面，在宽度方向上相邻的所述栅格杂质区域之间的区域以比所述第1杂质浓度低的第2杂质浓度具有第2导电类型的杂质；第1杂质浓度测定区域，设置于所述半导体基板的所述第1表面，具有所述栅格杂质区域的间隔以上的大小，以所述第1杂质浓度具有第2导电类型的杂质；以及第2杂质浓度测定区域，设置于所述半导体基板的所述第1表面，具有所述栅格杂质区域的间隔以上的大小，以所述第2杂质浓度具有第2导电类型的杂质层。
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