[发明专利]太阳能电池单元的评价用基板以及太阳能电池单元的评价方法

说明书

太阳能电池单元的评价用基板具备：第1导电类型的半导体基板；多个细长形状的栅格杂质区域，设置于半导体基板的第1表面，在与成为评价对象的太阳能电池单元的栅格电极的形状对应的区域以第1杂质浓度具有第2导电类型的杂质；以及栅格间杂质区域，设置于半导体基板的第1表面，在宽度方向上相邻的栅格杂质区域之间的区域以比第1杂质浓度低的第2杂质浓度具有第2导电类型的杂质。太阳能电池单元的评价用基板具备：第1杂质浓度测定区域，设置于半导体基板的第1表面，具有栅格杂质区域的间隔以上的大小，以第1杂质浓度具有第2导电类型的杂质；以及第2杂质浓度测定区域，设置于半导体基板的第1表面，具有栅格杂质区域的间隔以上的大小，以第2杂质浓度具有第2导电类型的杂质层。

技术领域

本发明涉及用于评价太阳能电池单元中的杂质扩散层的杂质扩散浓度的太阳能电池单元的评价用基板以及太阳能电池单元的评价方法。

背景技术

以往，作为实现高光电变换高效化的太阳能电池单元的构造，在日本专利文献1中公开了如下太阳能电池单元，该太阳能电池单元在n型硅基板的受光面侧具备作为p型发射极层的p型扩散层，在背面侧具备BSF(Back Surface Field，背电场)层，p型扩散层中的电极的下部区域的杂质浓度与p型扩散层中的其他区域的杂质浓度相比较被形成为高浓度。在具有日本专利文献1公开的构造的太阳能电池单元中，能够降低p型扩散层中的电极的下部区域和电极的接触电阻。

另一方面，近年来，根据高光电变换高效化的观点，栅格电极也要求细线化为150μm以下。另外，在如日本专利文献1公开的太阳能电池单元那样具有选择性的杂质扩散层构造的太阳能电池单元中，为了提高光电变换效率，评价杂质浓度不同的杂质扩散层的薄层电阻从而优化是重要的。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第5379767号公报

发明内容

然而，在电极被细线化为150μm以下程度的情况下，电极的下部的杂质扩散层也需要细线化，存在在测定设备的机构上在太阳能电池单元的构造中难以测定电极的下部的杂质扩散层的薄层电阻的问题。

本发明是鉴于上述而完成的，其目的在于得到一种即使在杂质扩散层被细线化的情况下，也能够高精度地测定杂质扩散层的薄层电阻的太阳能电池单元的评价用基板。

为了解决上述课题并达成目的，本发明的太阳能电池单元的评价用基板，具备：第1导电类型的半导体基板；多个细长形状的栅格杂质区域，设置于半导体基板的第1表面，在与成为评价对象的太阳能电池单元的栅格电极的形状对应的区域以第1杂质浓度具有第2导电类型的杂质；栅格间杂质区域，设置于半导体基板的第1表面，在宽度方向上相邻的栅格杂质区域之间的区域以比第1杂质浓度低的第2杂质浓度具有第2导电类型的杂质。另外，太阳能电池单元的评价用基板具备：第1杂质浓度测定区域，设置于半导体基板的第1表面，具有栅格杂质区域的间隔以上的大小，以第1杂质浓度具有第2导电类型的杂质；以及第2杂质浓度测定区域，设置于半导体基板的第1表面，具有栅格杂质区域的间隔以上的大小，以第2杂质浓度具有第2导电类型的杂质层。

本发明的太阳能电池单元的评价用基板起到即使在杂质扩散层被细线化的情况下也能够高精度地测定杂质扩散层的薄层电阻的效果。

附图说明

图1是从受光面侧观察本发明的实施方式1的太阳能电池单元的俯视图。

图2是从与受光面相向的背面侧观察本发明的实施方式1的太阳能电池单元的俯视图。

图3是示出本发明的实施方式1的太阳能电池单元的结构的主要部分剖面图，是沿着图1的A-A线的剖面图。

图4是用于说明本发明的实施方式1的太阳能电池单元的制造方法的一个例子的流程图。