[发明专利]太阳能电池单元的评价用基板以及太阳能电池单元的评价方法在审
| 申请号: | 201680087244.5 | 申请日: | 2016-07-04 |
| 公开(公告)号: | CN109463041A | 公开(公告)日: | 2019-03-12 |
| 发明(设计)人: | 森川浩昭;米泽雅人;西村邦彦;太田成人 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号: | H02S50/10 | 分类号: | H02S50/10;H01L31/068 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 孙蕾 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 太阳能电池单元 半导体基板 导电类型 杂质区域 栅格 基板 杂质浓度测定 评价对象 细长形状 形状对应 栅格电极 杂质层 | ||
1.一种太阳能电池单元的评价用基板,其特征在于,具备:
第1导电类型的半导体基板;
多个细长形状的栅格杂质区域,设置于所述半导体基板的第1表面,在与成为评价对象的太阳能电池单元的栅格电极的形状对应的区域以第1杂质浓度具有第2导电类型的杂质;
栅格间杂质区域,设置于所述半导体基板的所述第1表面,在宽度方向上相邻的所述栅格杂质区域之间的区域以比所述第1杂质浓度低的第2杂质浓度具有第2导电类型的杂质;
第1杂质浓度测定区域,设置于所述半导体基板的所述第1表面,具有所述栅格杂质区域的间隔以上的大小,以所述第1杂质浓度具有第2导电类型的杂质;以及
第2杂质浓度测定区域,设置于所述半导体基板的所述第1表面,具有所述栅格杂质区域的间隔以上的大小,以所述第2杂质浓度具有第2导电类型的杂质层。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池单元的评价用基板,其特征在于,
所述第1杂质浓度测定区域和所述第2杂质浓度测定区域在所述半导体基板的面内具有1mm×4mm的四方形以上且8mm×8mm的四方形以下的尺寸。
3.根据权利要求1或者2所述的太阳能电池单元的评价用基板,其特征在于,
所述第1杂质浓度测定区域在所述半导体基板的面内配置于相对将所述半导体基板的面内左右均等地分割的中心线为对象的4个部位以上的位置,
所述第2杂质浓度测定区域在所述半导体基板的面内配置于所述半导体基板的面内的中央的1个点和相对将所述半导体基板的面内左右均等地分割的中心线为对象的4个部位以上的位置。
4.一种太阳能电池单元的评价方法,使用权利要求1至3中的任意一项所述的太阳能电池单元的评价用基板来评价太阳能电池单元,其特征在于,包括:
第2导电类型掺杂物浆料涂敷工序,在所述半导体基板的第1表面上的、包括所述栅格杂质区域和所述第1杂质浓度测定区域而除去所述第2杂质浓度测定区域的区域涂敷含有第2导电类型的杂质的含第2导电类型掺杂物的浆料;
第1扩散工序,在将所述半导体基板与所述太阳能电池单元一起插入到热扩散炉内的状态下不使气源流动而提高所述半导体基板的温度;
所述第2扩散工序,在所述热扩散炉内,将所述半导体基板与所述太阳能电池单元一起不从所述热扩散炉取出而接着所述第1扩散工序,一边使所述气源流动一边对所述半导体基板进行加热,从而形成太阳能电池单元的评价用基板;以及
测定工序,测定从所述热扩散炉取出的所述半导体基板的第1杂质浓度测定区域和第2杂质浓度测定区域的薄层电阻。
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