[发明专利]在连续真空中施加多个等离子体涂覆层在审
| 申请号： | 201680074362.2 | 申请日： | 2016-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN108368603A | 公开（公告）日： | 2018-08-03 |
| 发明（设计）人： | A·塔科尔;H·姚;H·赖;C·刘;Y·牛;S·姜 | 申请（专利权）人： | 沙特基础工业全球技术公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/56;C23C14/02;C23C14/46;G02B1/00;H01J37/317;H01J37/34 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 张全信;赵蓉民 |
| 地址： | 荷兰，贝*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 用于在真空中施加多个等离子体涂覆层的装置和方法，以及由该方法产生的产品。该方法包括在真空室中安置基底和给基底施加多个等离子体涂覆层，而不中断真空。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 涂覆层 施加 基底 连续真空 真空室 中断 安置 | ||
【主权项】：
1.一种装置，其包括：真空室；在所述真空室中安置的第一目标资源；第一等离子体发生器，其配置为引起等离子体预活化在所述真空室中布置的基底的表面；第二等离子体发生器，其配置为引起等离子体与所述第一目标资源相互作用以促进第一涂覆层在所述真空室中布置的预活化的基底上的沉积；在所述真空室中安置的第二目标资源；和第三等离子体发生器，其配置为引起等离子体与所述第二目标资源相互作用以促进至少第二层在所述真空室中布置的基底上的沉积，其中以连续方式完成所述第一层和所述至少第二层的沉积。
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