[发明专利]在连续真空中施加多个等离子体涂覆层

权利要求书

1.一种装置，其包括：

真空室；

在所述真空室中安置的第一目标资源；

第一等离子体发生器，其配置为引起等离子体预活化在所述真空室中布置的基底的表面；

第二等离子体发生器，其配置为引起等离子体与所述第一目标资源相互作用以促进第一涂覆层在所述真空室中布置的预活化的基底上的沉积；

在所述真空室中安置的第二目标资源；和

第三等离子体发生器，其配置为引起等离子体与所述第二目标资源相互作用以促进至少第二层在所述真空室中布置的基底上的沉积，

其中以连续方式完成所述第一层和所述至少第二层的沉积。

2.一种装置，其包括：

真空室；

在所述真空室中安置的第一目标资源；

第一等离子体发生器，其配置为引起等离子体预活化在所述真空室中布置的基底的表面，其中所述第一等离子体发生器被进一步配置为引起等离子体与所述第一目标资源相互作用以促进第一涂覆层在所述真空室中布置的预活化的基底上的沉积；

在所述真空室中安置的第二目标资源；和

第二等离子体发生器，其配置为引起等离子体与所述第二目标资源相互作用以促进至少第二层在所述真空室中布置的基底上的沉积，

其中以连续方式完成所述第一层和所述至少第二层的沉积。

3.权利要求1-2中任一项所述的装置，其中所述基底包括光学镜片或光学膜。

4.权利要求1-2中任一项所述的装置，其中所述基底包括聚碳酸酯、聚碳酸酯共聚物、CR39、PMMA或能够形成光学物品的其它类型的现有材料。

5.权利要求1-4中任一项所述的装置，其中所述等离子体包括活性气体等离子体、无活性气体等离子体、试剂等离子体、或溅射的离子。

6.权利要求1-5中任一项所述的装置，其中所述第一目标资源和所述第二目标资源中的一个或多个包括石墨、硅基材料、聚氨酯、或金属。

7.权利要求1-6中任一项所述的装置，其中所述第一层和所述第二层中的一个或多个包括抗反射层和蓝光切割层中的一种或多种。

8.一种使用权利要求1-7中任一项所述的装置形成的物品，其包括所述基底、所述第一层、和所述第二层。

9.权利要求8所述的物品，其中所述物品使用铅笔硬度测试ASTM D3363展示大于1H的铅笔硬度。

10.权利要求8-9中任一项所述的物品，其中所述物品使用Bayer测试展示大于1的Bayer值。

11.权利要求8-10中任一项所述的物品，其中所述第一层和所述第二层中的一个或多个的厚度大约0.1微米至大约50微米。

12.权利要求8-11中任一项所述的物品，其中所述基底具有大约0.5mm至大约20mm的厚度。

13.一种方法，其包括：

使用第一等离子体预活化镜片基底的表面，其中所述基底被安置在真空室中；和

生成第二等离子体以引起第一目标资源被沉积在所述基底的预活化的表面上作为第一层，而不中断真空。

14.权利要求13所述的方法，进一步包括生成第三等离子体以引起至少第二目标资源被沉积在所述基底和所述第一层中的一个或多个上。

15.权利要求13-14中任一项所述的方法，其中所述基底包括光学镜片或光学膜。

16.权利要求13-15中任一项所述的方法，其中所述基底包括聚碳酸酯、聚碳酸酯共聚物、CR39、PMMA或能够形成光学物品的其它类型的现有材料。