[发明专利]三维存储器设备及其使用方法在审
| 申请号： | 201680071347.2 | 申请日： | 2016-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN108369989A | 公开（公告）日： | 2018-08-03 |
| 发明（设计）人： | F·佩里兹 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示一种三维3D存储器阵列。所述3D存储器阵列可包含电极平面及经安置穿过且耦合到所述电极平面的存储器材料。包含于所述存储器材料中的存储器单元在与所述电极平面相同的平面中对准，且所述存储器单元经配置以展现表示第一逻辑状态的第一阈值电压及表示第二逻辑状态的第二阈值电压。导电柱经安置穿过且耦合到所述存储器单元，其中所述导电柱及电极平面经配置以跨越所述存储器单元提供电压以将逻辑状态写入到所述存储器单元。本发明揭示用以操作及形成所述3D存储器阵列的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器单元 电极平面 存储器阵列 逻辑状态 存储器材料 阈值电压 导电柱 耦合到 穿过 三维存储器 安置 配置 三维 写入 对准 | ||
【主权项】：
1.一种设备，其包括：电极平面；存储器材料，其经安置穿过且耦合到所述电极平面；存储器单元，其包含于所述存储器材料中而在与所述电极平面相同的平面中对准，所述存储器单元经配置以展现表示第一逻辑状态的第一阈值电压及表示第二逻辑状态的第二阈值电压，其中所述存储器单元经进一步配置以充当选择器装置及存储器元件；及导电柱，其经安置穿过且耦合到所述存储器单元，其中所述导电柱及所述电极平面经配置以跨越所述存储器单元提供电压以将逻辑状态写入到所述存储器单元。
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