[发明专利]启动时具有零电流的开关功率转换器有效

专利信息
申请号: 201680062926.0 申请日: 2016-10-26
公开(公告)号: CN108370216B 公开(公告)日: 2019-11-22
发明(设计)人: 彭明生 申请(专利权)人: 戴洛格半导体公司
主分类号: H02M1/36 分类号: H02M1/36;H02M3/155;H02M1/08;H02M1/00;G05F3/24;G05F3/26
代理公司: 11270 北京派特恩知识产权代理有限公司 代理人: 康艳青;姚开丽<国际申请>=PCT/US
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 提供了一种具有上电复位(POR)电路的开关功率转换器,该电路在电源电压超过POR阈值电压之前基本上不释放电流。
搜索关键词: 开关功率转换器 电路 电源电压 上电复位 阈值电压 零电流 启动时 释放
【主权项】:
1.一种用于开关功率转换器的上电复位电路,包括:/n电源节点,用于提供电源电压;/n第一电流通路,所述第一电流通路从所述电源节点耦合到接地,其中,所述第一电流通路包括通过第一电阻与齐纳二极管串联耦合的连接二极管的晶体管;/n第二电流通路,所述第二电流通路从所述电源节点耦合到接地,其中,第二电流通路包括与第二电阻串联的电流镜像PMOS晶体管,并且其中,所述电流镜像PMOS晶体管的源极连接到连接二极管的晶体管的源极和所述电源节点,所述电流镜像PMOS晶体管的栅极连接到所述连接二极管的晶体管的栅极,以及所述电流镜像PMOS晶体管的漏极耦合到所述第二电阻,以及/nNMOS开关晶体管,所述NMOS开关晶体管耦合在所述齐纳二极管的阴极和接地之间,其中,NMOS开关晶体管的栅极连接到所述电流镜像PMOS晶体管的漏极,所述NMOS开关晶体管的漏极连接到所述齐纳二极管的阴极,以及所述NMOS开关晶体管的源极连接到接地。/n
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