[发明专利]用单独的字线和擦除栅形成闪存存储器的方法有效
| 申请号： | 201680061627.5 | 申请日： | 2016-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN108140414B | 公开（公告）日： | 2021-11-26 |
| 发明（设计）人： | C-M.陈;M-T.吴;J-W.杨;C-S.苏;N.杜 | 申请（专利权）人： | 硅存储技术公司 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;G11C11/34;G06F13/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 毕铮;闫小龙 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种形成非易失性存储器单元的方法，所述方法包括在衬底中形成间隔开的第一区和第二区，将沟道区限定在其间。浮栅形成在所述沟道区的第一部分上方并且在所述第一区的一部分上方，其中所述浮栅包括设置在所述第一区上方的锋利边缘。隧道氧化物层形成在所述锋利边缘周围。擦除栅形成在所述第一区上方，其中所述擦除栅包括面向所述锋利边缘的凹口，并且其中所述凹口通过所述隧道氧化物层与所述锋利边缘绝缘。字线栅形成在所述沟道区的与所述第二区相邻的第二部分上方。在所述隧道氧化物层和所述擦除栅的所述形成之后执行所述字线栅的所述形成。 | ||
| 搜索关键词： | 单独 擦除 形成 闪存 存储器 方法 | ||
【主权项】：
一种形成非易失性存储器单元的方法，包括：在第一导电类型的衬底中形成第二导电类型的间隔开的第一区和第二区，将沟道区限定在其间；形成设置在所述沟道区的第一部分上方且与所述第一部分绝缘并且位于所述第一区的一部分上方的浮栅，其中所述浮栅包括设置在所述第一区上方的锋利边缘；在所述锋利边缘周围形成隧道氧化物层；将擦除栅形成在所述第一区上方并且与所述第一区绝缘，其中所述擦除栅包括面向所述锋利边缘的凹口，并且其中所述凹口通过所述隧道氧化物层与所述锋利边缘绝缘；以及形成设置在所述沟道区的与所述第二区相邻的第二部分上方且与所述第二部分绝缘的字线栅，其中在所述隧道氧化物层的所述形成以及所述擦除栅的所述形成之后执行所述字线栅的所述形成。
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