[发明专利]隔离式III-N族半导体装置在审
| 申请号： | 201680061341.7 | 申请日： | 2016-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN108140579A | 公开（公告）日： | 2018-06-08 |
| 发明（设计）人： | 纳维恩·蒂皮尔内尼;萨米尔·彭德哈卡 | 申请（专利权）人： | 德州仪器公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/772 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本描述的实例包含一种半导体装置，其具有：衬底(22)；低缺陷层(32)，其经形成在相对于所述衬底(22)的固定位置中；及势垒层(34)，其包含形成在所述低缺陷层(32)上的III‑N族半导体材料且在所述低缺陷层(32)中形成电子气体。所述装置还具有：源极接触件(52)；漏极接触件(54)；及栅极接触件(56)，其用于接收电势，所述电势用于调整所述电子气体中及所述源极接触件与所述漏极接触件之间的导电路径。最后，所述装置具有所述势垒层(34)与所述衬底(22)之间的单侧PN结(22/24)。 | ||
| 搜索关键词： | 低缺陷 衬底 半导体装置 电子气体 漏极接触 源极接触 势垒层 电势 半导体材料 导电路径 栅极接触 隔离式 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其包括：衬底；低缺陷层，其在相对于所述衬底的固定位置中形成；势垒层，其包括在所述低缺陷层上形成的III‑N族半导体材料且在所述低缺陷层中形成电子气体；源极接触件；漏极接触件；栅极接触件，其用于接收电势，所述电势用于调整所述电子气体及所述源极接触件与所述漏极接触件之间的响应于所述电子气体且由所述电子气体形成的导电路径；及单侧PN结，其在所述势垒层与所述衬底之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德州仪器公司，未经德州仪器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201680061341.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
