[发明专利]工程化衬底上的芯片级封装固态器件的剥离工艺有效
| 申请号： | 201680061007.1 | 申请日： | 2016-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN108475626B | 公开（公告）日： | 2023-03-10 |
| 发明（设计）人： | 弗拉基米尔·奥德诺博柳多夫;杰姆·巴斯切里 | 申请（专利权）人： | 克罗米斯有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;H01L21/46;H01L21/461;H01L21/463;H01L21/465 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 景怀宇 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种处理工程化衬底结构的方法，包括提供工程化衬底结构，所述工程化衬底结构包括多晶衬底和封装所述多晶衬底的工程化层，形成耦合到所述工程化层的牺牲层，将固态器件结构连接到牺牲层，通过移除所述固态器件结构的一个或多个部分形成固态器件结构中的一个或多个沟道以暴露所述牺牲层的一个或多个部分，使蚀刻化学品流过所述一个或多个沟道到达所述牺牲层的所述一个或多个暴露部分，并且通过所述蚀刻化学品与所述牺牲层之间的相互作用使所述牺牲层溶解，从而将所述工程化衬底结构从所述固态器件结构分离。 | ||
| 搜索关键词： | 工程 衬底 芯片级 封装 固态 器件 剥离 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种处理工程化衬底结构的方法，所述方法包括：提供工程化衬底结构，其包括：多晶衬底，和封装所述多晶衬底的工程化层；形成耦合到所述工程化层的牺牲层；将固态器件结构连接到所述牺牲层；通过去除所述固态器件结构的一个或多个部分形成所述固态器件结构中的一个或多个沟道，以暴露所述牺牲层的一个或多个部分；使蚀刻化学品流过所述一个或多个沟道到达所述牺牲层的所述一个或多个暴露部分；和通过所述蚀刻化学品和所述牺牲层之间的相互作用使所述牺牲层溶解，从而将所述工程化衬底结构从所述固态器件结构分离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
