[发明专利]集成的压电微机械超声换能器像素和阵列在审
| 申请号： | 201680059531.5 | 申请日： | 2016-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN108140115A | 公开（公告）日： | 2018-06-08 |
| 发明（设计）人： | 赫瑞什科士·维加伊库马尔·班差瓦加;苏耶普拉卡什·甘蒂;寇斯坦丁·狄米绰夫·乔尔杰夫;戴维·威廉·伯恩斯;蒂莫西·艾伦·迪金森;唐纳德·威廉·小基德韦尔;拉温德拉·瓦曼·谢诺伊;乔恩·布拉德利·拉斯特;唐浩延;卢奕鹏 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G06K9/00 | 分类号： | G06K9/00;G10K11/34;B06B1/06;B06B1/02 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 超声传感器像素包含衬底、压电微机械超声换能器PMUT和传感器像素电路。所述PMUT包含压电层堆叠，所述压电层堆叠包含：安置于腔上方的压电层，所述腔安置于所述压电层堆叠与所述衬底之间；安置于所述压电层与所述腔之间的参考电极；和安置于所述压电层的第一表面上或附近的接收电极和发射电极中的一或两个，所述第一表面与所述腔对置。所述传感器像素电路与所述参考电极、所述接收电极和所述发射电极中的一或多个电耦合，且所述PMUT和所述传感器像素电路与所述传感器像素电路集成在所述衬底上。 | ||
| 搜索关键词： | 压电层 传感器像素电路 衬底 堆叠 微机械超声换能器 安置 参考电极 第一表面 发射电极 接收电极 像素 压电 超声传感器 电耦合 对置 | ||
【主权项】：
一种超声传感器像素，其包括：衬底；压电微机械超声换能器PMUT，其包含压电层堆叠，所述压电层堆叠包含：安置于腔上方的压电层，所述腔安置于所述压电层堆叠与所述衬底之间；安置于所述压电层与所述腔之间的参考电极；和安置于所述压电层的第一表面上或附近的接收电极和发射电极中的一或两个，所述第一表面与所述腔对置；和传感器像素电路，其与所述参考电极、所述接收电极和所述发射电极中的一或多个电耦合，其中所述PMUT和所述传感器像素电路与所述传感器像素电路集成在所述衬底上。
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