[发明专利]用于薄膜中测量的混合测量系统及方法有效
申请号: | 201680057884.1 | 申请日: | 2016-08-04 |
公开(公告)号: | CN108966674B | 公开(公告)日: | 2023-06-27 |
发明(设计)人: | 科尔内尔·博兹多格;阿洛克·瓦德;斯里达尔·马亨德拉卡尔;玛纽尔·霍桑;塔希尔·卡加瓦拉 | 申请(专利权)人: | 诺威有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01B11/06;G01N21/21;G01N21/84;G01N23/2273 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 张英;沈敬亭 |
地址: | 以色列*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供了用于在线测量在生产线上行进的结构中薄膜的一个或多个参数的测量方法和系统。从正在被测量的薄膜上的多个测量位点提供第一测量数据和第二测量数据,其中第一测量数据对应于来自相对少数量的测量位点的第一选择组的第一类型测量,并且第二测量数据对应于来自显著更高数量的测量位点的第二组的第二类型光学测量。处理第一测量数据用于确定所述第一组的每个测量位点中薄膜的至少一个参数的至少一个值。该至少一个参数值用于解释第二测量数据,从而获得指示所述第二组的测量位点内的所述至少一个参数的值的分布的数据。 | ||
搜索关键词: | 用于 薄膜 测量 混合 系统 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于在线测量在生产线上行进的结构中的薄膜的一个或多个参数的测量方法,所述方法包括:‑从正在被测量的所述薄膜上的多个测量位点提供第一测量数据和第二测量数据,其中所述第一测量数据对应于来自第一选择组的相对少数量的测量位点的第一类型测量,并且所述第二测量数据对应于来自第二组的显著更高数量的测量位点的第二类型光学测量;‑处理所述第一测量数据,并且确定所述第一组的每个测量位点中所述薄膜的至少一个参数的至少一个值;‑利用所述至少一个参数值来解释所述第二测量数据,从而获得指示所述第二组的测量位点内的所述至少一个参数的值的分布的数据。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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