[发明专利]光电转换装置及其制造方法

摘要

一种光电转换装置(101)，其在半导体基板(10)的一个主面上，具有第一导电型区域(1)、第二导电型区域(2)和与它们相接且将两者隔开的边界区域(9)。第一导电型半导体层(61)遍及第一导电型区域(2)的整面和边界区域而设置，第二导电型半导体层(31)遍及第二导电型区域的整面和边界区域而设置。边界区域的整面设有绝缘层(41)。遍及第一导电型区域的整面和边界区域设置第一电极(71)，在第二导电型区域设置第二电极(72)。在形成有第一导电型半导体层的区域不设置第二电极，第二电极与第一电极被隔开。

主权项

一种光电转换装置，其特征在于，在半导体基板的一个主面上，具有第一导电型区域、第二导电型区域和分别与第一导电型区域和第二导电型区域相接并将两者隔开的边界区域，其中，在所述半导体基板的一个主面上，具有：遍及所述第一导电型区域的整面和所述边界区域而设置的第一导电型半导体层；遍及所述第二导电型区域的整面和所述边界区域而设置的、具有与所述第一导电型半导体层相反的导电型的第二导电型半导体层；遍及所述第一导电型区域的整面和所述边界区域而设置的第一电极；在所述第二导电型区域设置的、与所述第一电极隔开的第二电极；和在所述边界区域的整面设置的绝缘层；所述第一导电型区域在所述半导体基板上依次具有所述第一导电型半导体层和所述第一电极，所述第二导电型区域在所述半导体基板上依次具有所述第二导电型半导体层和第二电极，所述边界区域在所述半导体基板上依次具有所述第二导电型半导体层、绝缘层、第一导电型半导体层和第一电极，所述绝缘层的第一导电型区域侧的侧面被所述第一导电型半导体层被覆，所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层均未被覆所述绝缘层的第二导电型区域侧的侧面，在形成有所述第一导电型半导体层的区域不设置所述第二电极。