[发明专利]半导体激光器装置有效
申请号: | 201680055736.6 | 申请日: | 2016-09-29 |
公开(公告)号: | CN108141006B | 公开(公告)日: | 2020-09-15 |
发明(设计)人: | 石井启之;藤原直树;渡边启;井藤干隆;葛西惠介;中泽正隆 | 申请(专利权)人: | 日本电信电话株式会社;国立大学法人东北大学 |
主分类号: | H01S5/022 | 分类号: | H01S5/022;H01S5/12;H01S5/125;H01S5/50;G01N21/01;G02B6/12;G02B6/42;H01S5/026 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 吕琳;朴秀玉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 作为将半导体激光器的光谱线宽缩窄至10kHz左右的构成,有外部谐振器型激光器,但存在需要许多零件且需要高精度地组装它们,控制电路变得复杂的问题。还已知有基于DFB激光器的波长可调激光器的构成,但在长的谐振器中由于制造波动而难以形成均匀的谐振器,即使在基于DFB激光器的波长可调激光器中,光谱的窄线宽化也存在界限。在本发明的半导体激光器装置中,以单模振荡的半导体激光器和使用石英玻璃的低损耗光波电路配置于共同的基板上。光波电路构成为半导体激光器的光输出的一部分传播某固定的光路长度后,由反射器反射,反馈至半导体激光器。也可以构成为将半导体激光器的输出光与光波电路的输入波导直接光学耦合。能提供光谱线宽窄、波长控制稳定的小型的激光装置。 | ||
搜索关键词: | 半导体激光器 装置 | ||
【主权项】:
一种半导体激光器装置,其特征在于,具备:第一基板,形成有以单模振荡的半导体激光器;第二基板,形成有构成为在使来自所述半导体激光器的输出光的一部分传播固定的光路长度后,向所述半导体激光器反馈的光波电路;以及第三基板,搭载有所述第一基板以及所述第二基板,所述第一基板的来自所述半导体激光器的输出光与所述第二基板的所述光波电路的输入波导进行光学耦合。
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