[发明专利]半导体激光器装置有效
| 申请号： | 201680055736.6 | 申请日： | 2016-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN108141006B | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | 石井启之;藤原直树;渡边启;井藤干隆;葛西惠介;中泽正隆 | 申请（专利权）人： | 日本电信电话株式会社;国立大学法人东北大学 |
| 主分类号： | H01S5/022 | 分类号： | H01S5/022;H01S5/12;H01S5/125;H01S5/50;G01N21/01;G02B6/12;G02B6/42;H01S5/026 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 吕琳;朴秀玉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 装置 | ||
1.一种半导体激光器装置，其特征在于，具备：
第一基板，形成有以单模振荡的半导体激光器；
由Si形成的第二基板，形成有构成为在使来自所述半导体激光器的输出光的一部分传播固定的光路长度后，向所述半导体激光器反馈的光波电路；以及
第三基板，搭载有所述第一基板以及所述第二基板，
所述第一基板的来自所述半导体激光器的输出光与所述第二基板的所述光波电路的输入波导进行光学耦合，
所述第一基板具有分支单元，所述分支单元将来自所述半导体激光器的所述输出光分支为两个，作为一方的分支光为进入所述第二基板的半导体激光器的所述输出光的所述一部分，作为另一方的分支光为该半导体激光器装置的输出光，
所述第一基板具有：第一半导体光放大器，放大所述分支单元的所述一方的分支光；以及第二半导体光放大器，放大所述分支单元的所述另一方的分支光。
2.根据权利要求1所述的半导体激光器装置，其特征在于，
所述第二基板上的所述光波电路构成为：包含对所述传播的光进行反射的反射器，由所述反射器反射的光向所述半导体激光器反馈。
3.根据权利要求1所述的半导体激光器装置，其特征在于，
所述第一基板的来自所述半导体激光器的所述输出光与所述第二基板的所述光波电路的所述输入波导在所述第一基板的端面以及与该端面对置的所述第二基板的端面之间进行耦合。
4.根据权利要求1所述的半导体激光器装置，其特征在于，
所述半导体激光器是具备由衍射光栅实现的波长选择功能的分布反馈型DFB激光器或分布反射型DBR激光器。
5.根据权利要求1所述的半导体激光器装置，其特征在于，
所述半导体激光器集成有N个分布反馈型DFB激光器阵列、构成为对来自所述N个DFB激光器阵列的各输出光进行合波的光合波器以及半导体光放大器，并作为波长可调激光器进行工作。
6.根据权利要求1所述的半导体激光器装置，其特征在于，
所述半导体激光器集成有N个分布反射型DBR激光器阵列、构成为对来自所述N个DBR激光器阵列的各输出光进行合波的光合波器以及半导体光放大器，并作为波长可调激光器进行工作。
7.根据权利要求2所述的半导体激光器装置，其特征在于，
所述第一基板的来自所述半导体激光器的所述输出光与所述第二基板的所述光波电路的所述输入波导在所述第一基板的端面以及与该端面对置的所述第二基板的端面之间进行耦合。
8.根据权利要求2所述的半导体激光器装置，其特征在于，
所述半导体激光器是具备由衍射光栅实现的波长选择功能的分布反馈型DFB激光器或分布反射型DBR激光器。
9.根据权利要求3所述的半导体激光器装置，其特征在于，
所述半导体激光器是具备由衍射光栅实现的波长选择功能的分布反馈型DFB激光器或分布反射型DBR激光器。
10.根据权利要求2所述的半导体激光器装置，其特征在于，
所述半导体激光器集成有N个分布反馈型DFB激光器阵列、构成为对来自所述N个DFB激光器阵列的各输出光进行合波的光合波器以及半导体光放大器，并作为波长可调激光器进行工作。
11.根据权利要求2所述的半导体激光器装置，其特征在于，
所述半导体激光器集成有N个分布反射型DBR激光器阵列、构成为对来自所述N个DBR激光器阵列的各输出光进行合波的光合波器以及半导体光放大器，并作为波长可调激光器进行工作。
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