[发明专利]TFT装置和制造方法

摘要

TFT装置从具有相互绝缘的狭长的半导体材料条带的基板开始制造。层的堆栈在该基板上的该条带上方，该堆栈包含栅极电极层。多层级抗蚀剂层提供于该栅极电极层上方。该多层级抗蚀剂层界定栅极和源极漏极区，信道在平行于该条带的方向运行。在该抗蚀剂层中的栅极部分跨越该抗蚀剂层中的源极漏极区，从而在任一侧上超出该源极漏极区至少相当于该条带的节距的距离。

主权项

1.一种制造包含薄膜晶体管的半导体装置的方法，所述方法包含：‑提供基板，在所述基板上具有相互绝缘的狭长的半导体材料条带，所述条带在第一方向上延伸；‑将层的堆栈沉积于所述基板上的所述条带上方，所述堆栈包含栅极电极层和栅极绝缘层，所述栅极绝缘层介于所述栅极电极层与所述条带之间；‑提供多层级抗蚀剂层，所述多层级抗蚀剂层包含在所述堆栈的顶部上分别具有第一非零抗蚀剂高度层级和第二非零抗蚀剂高度层级的第一部分和第二部分，所述第一抗蚀剂高度层级小于所述第二抗蚀剂高度层级，所述第二部分包含在横向于所述第一方向的第二方向上跨越所述第一部分的部分，从而在任一侧上超出所述第一部分至少相当于所述条带的节距的距离；‑使用所述多层级抗蚀剂层作为掩膜，在所述基板未被所述第一部分和所述第二部分覆盖的区域上方蚀刻所述堆栈和所述条带；‑至少从所述第一抗蚀剂高度层级向下蚀刻所述多层级抗蚀剂层，在所述第二部分之下留下被所述多层级抗蚀剂层的抗蚀剂覆盖的所述基板；‑蚀刻所述堆栈以暴露所述条带中所述多层级抗蚀剂层的所述第一部分已被移除的部分，留下所述栅极电极层在所述多层级抗蚀剂层的所述第二部分之下的部分，以用作所述晶体管的栅极电极；‑由所述条带的暴露部分形成所述晶体管的源极触点和漏极触点。