[发明专利]非易失性存储器的非对称传输场效应晶体管在审
| 申请号： | 201680053881.0 | 申请日： | 2016-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN108028061A | 公开（公告）日： | 2018-05-11 |
| 发明（设计）人： | 李星权;范卡特拉曼·普拉哈卡 | 申请（专利权）人： | 赛普拉斯半导体公司 |
| 主分类号： | G11C11/34 | 分类号： | G11C11/34;G11C16/04 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 张瑞;杨明钊 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了对存储器设备的非易失性存储器(NVM)单元进行操作的方法。NVM单元的传输晶体管是包括具有晕状注入物的源极的非对称晶体管。传输晶体管的源极耦合到在NVM单元的扇区中的NVM单元之间共享的共源极线(CSL)。该操作可以通过将第一信号施加到耦合到NVM单元的存储器晶体管的栅极的字线(WLS)并将第二信号施加到耦合到NVM单元的存储器晶体管的漏极的位线(BL)来进行。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 对称 传输 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：对存储器设备的非易失性存储器(NVM)单元进行操作，其中，所述NVM单元的传输晶体管是包括具有晕状注入物的源极的非对称晶体管，其中，所述传输晶体管的源极耦合到在NVM单元的扇区中的NVM单元之间共享的共源极线(CSL)，并且其中所述操作包括：将第一信号施加到耦合到所述NVM单元的存储器晶体管的栅极的字线(WLS)；以及将第二信号施加到耦合到所述NVM单元的存储器晶体管的漏极的位线(BL)。
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