[发明专利]非易失性存储器的非对称传输场效应晶体管在审
| 申请号： | 201680053881.0 | 申请日： | 2016-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN108028061A | 公开（公告）日： | 2018-05-11 |
| 发明（设计）人： | 李星权;范卡特拉曼·普拉哈卡 | 申请（专利权）人： | 赛普拉斯半导体公司 |
| 主分类号： | G11C11/34 | 分类号： | G11C11/34;G11C16/04 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 张瑞;杨明钊 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 对称 传输 场效应 晶体管 | ||
1.一种方法，包括：
对存储器设备的非易失性存储器(NVM)单元进行操作，其中，所述NVM单元的传输晶体管是包括具有晕状注入物的源极的非对称晶体管，其中，所述传输晶体管的源极耦合到在NVM单元的扇区中的NVM单元之间共享的共源极线(CSL)，并且其中所述操作包括：
将第一信号施加到耦合到所述NVM单元的存储器晶体管的栅极的字线(WLS)；以及
将第二信号施加到耦合到所述NVM单元的存储器晶体管的漏极的位线(BL)。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述操作是用于对所述NVM单元进行编程的编程操作，其中，所述操作还包括：
将所述第二信号施加到耦合到所述存储器晶体管的阱和所述传输晶体管的阱的阱线(SPW)，其中，所述第一信号和所述第二信号在所述存储器晶体管的栅极和漏极之间以及在所述存储器晶体管的栅极和阱之间形成正电压电位。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述操作是用于对所述NVM单元进行编程的编程操作，其中，所述操作还包括：
将所述第二信号施加到耦合到所述传输晶体管的栅极的字线(WL)；以及
将第三信号施加到耦合到所述传输晶体管的源极的共源极线(CSL)，其中，所述第二信号和所述第一信号在所述传输晶体管的栅极和源极之间形成低于所述传输晶体管的阈值电压的电压电位。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，从所述传输晶体管的源极至漏极的亚阈值泄漏电流由所述晕状注入物来减小。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述操作是用于对所述NVM单元进行擦除的擦除操作，其中，所述操作还包括：
将所述第二信号施加到耦合到所述存储器晶体管的阱和所述传输晶体管的阱的阱线(SPW)，其中，所述第一信号和所述第二信号在所述存储器晶体管的栅极和漏极之间以及在所述存储器晶体管的栅极和阱之间形成负电压电位。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述操作是用于对所述NVM单元进行读取的读取操作，其中，所述操作还包括：
将第四信号施加到耦合到所述传输晶体管的栅极的字线(WL)；以及
将第五信号施加到耦合所述传输晶体管的源极的CSL，其中，所述第四信号和所述第五信号形成在所述传输晶体管的栅极和源极之间的正电压电位。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述NVM单元是双晶体管(2T)NVM单元。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述传输晶体管包括没有所述晕状注入物的漏极。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述传输晶体管包括具有高掺杂晕状注入物的源极和具有轻掺杂晕状注入物的漏极。
10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述NVM单元是电荷捕获存储器单元。
11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述NVM单元是硅氧化物氮化物氧化物硅(SONOS)存储器单元。
12.一种装置，包括：
存储器设备的非易失性存储器(NVM)单元的存储器晶体管；
所述NVM单元的传输晶体管，其中，所述传输晶体管是包括具有晕状注入物的源极的非对称晶体管；以及
共源极线(CSL)，所述共源极线与所述传输晶体管的源极耦合，其中，所述CSL在NVM单元的扇区中的NVM单元之间被共享。
13.根据权利要求12所述的装置，其中，所述NVM单元是双晶体管(2T)NVM单元。
14.根据权利要求12所述的装置，其中，所述传输晶体管包括没有所述晕状注入物的漏极。
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