[发明专利]具有氯正掺杂包层的低弯曲损耗单模光纤有效
| 申请号： | 201680053697.6 | 申请日： | 2016-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN108055866B | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | D·C·布克班德;李明军;P·坦登 | 申请（专利权）人： | 康宁股份有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/02 | 分类号： | G02B6/02;G02B6/036;G02B6/028 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 徐鑫;项丹 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
同时具有低宏弯曲损耗和低微弯曲损耗的光纤。光纤具有：中心纤芯区域(1)，围绕中心纤芯区域(1)的第一(内)包层区域(2)，其具有r |
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| 搜索关键词： | 具有 掺杂 包层 弯曲 损耗 单模 光纤 | ||
【主权项】：
1.一种光纤，其包括：(i)具有外半径r1 和折射率Δ1 的中心纤芯区域，(ii)围绕所述中心纤芯区域的包层，所述包层包括：(a)第一包层区域，其具有外半径25微米>r2 >16微米和相对折射率Δ2 ，其中，r1 /r2 之比大于0.24，和(b)围绕所述第一包层区域的第二包层区域，其具有相对折射率Δ3 和外半径r3 ，其中，所述第二包层区域包含至少1.2重量％氯(Cl)，以及其中，Δ1 >Δ3 >Δ2 ，以及其中，Δ3 与Δ2 之间的差异大于0.12％，和Δ3 >0.12％；以及，所述光纤展现出1310nm处>9微米的模场直径MFD；和1550nm处，对于15mm直径心轴小于0.5dB/圈的弯曲损耗。
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