[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法有效
| 申请号： | 201680052503.0 | 申请日： | 2016-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN108027541B | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 井上和式;今村谦;津村直树;小田耕治 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/1368 | 分类号： | G02F1/1368;G02F1/1343;G09F9/30;H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及TFT基板，像素具有：栅极电极，其选择性地配置在基板之上；栅极绝缘膜，其将栅极电极覆盖；半导体沟道层，其选择性地配置在栅极绝缘膜之上；保护绝缘膜，其配置在半导体沟道层之上；第1层间绝缘膜，其设置在基板之上；源极电极及漏极电极，它们经过将第1层间绝缘膜及保护绝缘膜贯通的接触孔，相互分离地与半导体沟道层接触；以及像素电极，其是从漏极电极延伸出的，在俯视观察时，以至少与沟道区域重叠的方式在保护绝缘膜之上配置有第1遮光膜，在俯视观察时，以与半导体沟道层及所1遮光膜重叠的方式在源极电极之上及漏极电极之上配置有第2遮光膜。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管基板，在该薄膜晶体管基板以矩阵状排列有多个像素，该薄膜晶体管基板的特征在于，所述像素具有：栅极电极，其选择性地配置在基板之上；栅极绝缘膜，其将所述栅极电极覆盖；半导体沟道层，其由氧化物半导体膜形成，选择性地配置在所述栅极绝缘膜之上；保护绝缘膜，其配置在所述半导体沟道层之上；第1层间绝缘膜，其以将所述保护绝缘膜和所述半导体沟道层的层叠膜覆盖的方式设置在所述基板之上；源极电极及漏极电极，它们由透明导电膜形成，经过将所述第1层间绝缘膜及所述保护绝缘膜贯通的接触孔，相互分离地与所述半导体沟道层接触；以及像素电极，其是从所述漏极电极延伸出的，所述半导体沟道层处的所述源极电极和所述漏极电极之间的区域形成沟道区域，在俯视观察时，以至少与所述沟道区域重叠的方式在所述保护绝缘膜之上配置有第1遮光膜，在俯视观察时，以与所述半导体沟道层及所述第1遮光膜重叠的方式在所述源极电极之上及所述漏极电极之上配置有第2遮光膜。
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