[发明专利]PZT铁电体膜的形成方法有效

专利信息
申请号: 201680049774.0 申请日: 2016-08-26
公开(公告)号: CN108352443B 公开(公告)日: 2021-11-05
发明(设计)人: 田头裕己;志村礼司郎;高村禅;李金望;下田达也;渡边敏昭;曾山信幸 申请(专利权)人: 国立大学法人北陆先端科学技术大学院大学;三菱综合材料株式会社
主分类号: H01L41/43 分类号: H01L41/43;H01L41/318;H01L21/316;H01L21/8246;H01L27/105;H01L41/187
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 童春媛;鲁炜
地址: 日本石川*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明包括下述的工序:涂布PZT铁电体膜形成用液体组合物的工序;将涂布液体组合物而得的膜干燥的工序;对已干燥的膜在含氧气氛下以150~200℃的温度进行紫外线照射的工序;以及,将涂布工序、干燥工序及紫外线照射工序进行1次或2次以上之后,在含氧气氛下以0.5℃/秒以上的速度升温、或在不含氧气氛下以0.2℃/秒以上的速度升温,并保持于400~500℃的温度,由此将经紫外线照射的铁电体膜前体膜煅烧而结晶的工序。其中,设定液体组合物的每1次的涂布量,使得每涂布1次的铁电体膜的厚度为150nm以上,且在紫外线照射时供给臭氧。
搜索关键词: pzt 铁电体 形成 方法
【主权项】:
1. PZT铁电体膜的形成方法,其包括下述的工序:涂布PZT铁电体膜形成用液体组合物的工序;将涂布前述液体组合物而得的膜干燥的工序;对前述已干燥的膜在含氧气氛下以150~200℃的温度进行紫外线照射的工序;以及将前述涂布工序、前述干燥工序及前述紫外线照射工序进行1次或2次以上之后,在含氧气氛下以0.5℃/秒以上的速度升温、或在不含氧气氛下以0.2℃/秒以上的速度升温,并保持于400~500℃的温度,由此将前述经紫外线照射的铁电体膜的前体膜煅烧而结晶的工序,其中,设定前述液体组合物的每1次的涂布量,使得每涂布1次的前述铁电体膜的厚度为150nm以上,且在前述紫外线照射时供给臭氧。
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