[发明专利]传导阻障直接混合型接合有效
申请号: | 201680048737.8 | 申请日: | 2016-08-25 |
公开(公告)号: | CN108140559B | 公开(公告)日: | 2022-05-24 |
发明(设计)人: | 保罗·M·恩奎斯特 | 申请(专利权)人: | 英帆萨斯邦德科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/18 | 分类号: | H01L21/18;H01L21/52;H01L23/00 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;安利霞 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种形成直接混合型接合的方法和源自直接混合型接合的装置,其包括:第一基板,其具有第一组金属接合衬垫(其较佳而言连接到装置或电路,而由传导阻障所覆盖),并且具有第一非金属区域(其相邻于第一基板上的金属接合衬垫);第二基板,其具有第二组金属接合衬垫(其由第二传导阻障所覆盖、对齐于第一组金属接合衬垫、较佳而言连接到装置或电路),并且具有第二非金属区域(其相邻于第二基板上的金属接合衬垫);以及接触接合接口,其在第一和第二组金属接合衬垫之间、由传导阻障所覆盖、而通过第一非金属区域对第二非金属区域的接触接合所形成。 | ||
搜索关键词: | 传导 阻障 直接 混合 接合 | ||
【主权项】:
(原始)一种形成直接混合型接合表面的方法,其包括:在第一基板的上表面中形成多个第一金属接触结构,其中所述结构的顶面是在该上表面之下;在该上表面和所述多个金属接触结构上方形成传导阻障材料做的第一层;以及从该上表面移除传导阻障材料做的该第一层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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