[发明专利]热处理粒状硅的方法、粒状硅及制备硅单晶的方法在审
| 申请号： | 201680048555.0 | 申请日： | 2016-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN107922196A | 公开（公告）日： | 2018-04-17 |
| 发明（设计）人： | G·布伦宁格 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | C01B33/02 | 分类号： | C01B33/02;C30B29/06;C30B13/00;C30B35/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 李振东,过晓东 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及热处理由多晶颗粒组成的粒状硅的方法，涉及在其过程中使用经热处理的粒状硅的制备硅单晶的方法，以及涉及经热处理的粒状硅。热处理粒状硅的方法包括引导工艺气体沿着流动方向通过等离子室；在所述等离子室中产生等离子区；通过将微波辐射引入所述等离子室中而维持所述等离子区；通过所述工艺气体将所述粒状硅预热到不低于900℃的温度；与所述工艺气体的流动方向相反地，输送经预热的粒状硅通过所述等离子室和所述等离子区，其中暂时地使所述颗粒的外部区域熔化；及收集经等离子处理的粒状硅。 | ||
| 搜索关键词： | 热处理 粒状 方法 制备 硅单晶 | ||
【主权项】：
热处理由多晶颗粒组成的粒状硅的方法，所述方法包括：‑引导工艺气体沿着流动方向通过等离子室；‑在所述等离子室中产生等离子区；‑通过将微波辐射引入所述等离子室中而维持所述等离子区；‑通过所述工艺气体将所述粒状硅预热到不低于900℃的温度；‑与所述工艺气体的流动方向相反地，输送经预热的粒状硅通过所述等离子室和所述等离子区，其中暂时地使所述颗粒的外部区域熔化；及‑收集经等离子处理的粒状硅。
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