[发明专利]晶圆的清洗方法和该清洗方法中使用的化学溶液在审
申请号: | 201680047776.6 | 申请日: | 2016-08-10 |
公开(公告)号: | CN107924835A | 公开(公告)日: | 2018-04-17 |
发明(设计)人: | 斋尾崇;奥村雄三;福井由季;深泽宏纪;高田朋宏;公文创一;阿部一之;渡边翔太;井町昌義 | 申请(专利权)人: | 中央硝子株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人: | 刘新宇,李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供利用包含氯乙烯树脂作为液体接触构件的清洗装置的晶圆的清洗方法中使用的拒水性保护膜形成用化学溶液。一种化学溶液,其包含下述通式[1]所示的烷氧基硅烷;选自由下述通式[2]所示的磺酸、该磺酸的酸酐、该磺酸的盐、和下述通式[3]所示的磺酸衍生物组成的组中的至少1种;以及稀释溶剂,上述稀释溶剂含有选自由烃、醚和硫醇组成的组中的至少1种溶剂。(R1)aSi(H)b(OR2)4‑a‑b[1];R3‑S(=O)2OH[2];R3‑S(=O)2O‑Si(H)3‑c(R4)c[3]。 | ||
搜索关键词: | 清洗 方法 使用 化学 溶液 | ||
【主权项】:
一种晶圆的清洗方法,其是利用含有氯乙烯树脂作为液体接触构件的晶圆的清洗装置对表面具有微细的凹凸图案且该凹凸图案的至少一部分含有硅元素的晶圆进行清洗的方法,将拒水性保护膜形成用化学溶液保持在所述凹凸图案的至少凹部,从而在该凹部表面形成拒水性保护膜,所述拒水性保护膜形成用化学溶液包含:下述通式[1]所示的烷氧基硅烷;选自由下述通式[2]所示的磺酸、该磺酸的酸酐、该磺酸的盐和下述通式[3]所示的磺酸衍生物组成的组中的至少1种;以及稀释溶剂,所述稀释溶剂含有选自由烃、醚和硫醇组成的组中的至少1种溶剂,该烃、醚和硫醇的总量相对于所述稀释溶剂的总量100质量%为80~100质量%,(R1)aSi(H)b(OR2)4‑a‑b [1]式[1]中,R1各自彼此独立地为选自任选一部分或全部的氢元素被氟元素取代的碳数为1~18的一价烃基中的至少1种基团,R2各自彼此独立地为任选一部分或全部的氢元素被氟元素取代的碳数为1~18的一价烃基,a为1~3的整数,b为0~2的整数,a与b的总计为3以下,R3‑S(=O)2OH [2]式[2]中,R3为选自由任选一部分或全部的氢元素被氟元素取代的碳数为1~8的一价烃基、和羟基组成的组中的基团,R3‑S(=O)2O‑Si(H)3‑c(R4)c [3]式[3]中,R3为任选一部分或全部的氢元素被氟元素取代的碳数为1~8的一价烃基,R4各自彼此独立地为选自任选一部分或全部的氢元素被氟元素取代的碳数为1~18的一价烃基中的至少1种基团,c为1~3的整数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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