[发明专利]包括多个量子处理元件的量子处理装置有效
| 申请号: | 201680045977.2 | 申请日: | 2016-08-05 |
| 公开(公告)号: | CN107851645B | 公开(公告)日: | 2022-04-19 |
| 发明(设计)人: | A·德祖拉克;M·维尔德霍斯特;C-W·H·杨 | 申请(专利权)人: | 新南创新私人有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/10 | 分类号: | H01L27/10;B82Y10/00;H01L21/20;H01L21/28;H01L21/31;H01L29/66 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 吕俊刚;李艳芳 |
| 地址: | 澳大利亚新*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | 本发明涉及一种包括多个量子处理元件的量子处理装置。本公开提供了针对用于执行量子处理的量子处理装置的可扩展架构。该架构基于全硅CMOS制造技术。基于晶体管的控制电路与浮置栅极一起被用于操作量子位的二维阵列。该量子位由被限制在量子点中的单个电子的自旋状态来限定。 | ||
| 搜索关键词: | 包括 量子 处理 元件 装置 | ||
【主权项】:
一种先进处理装置,所述先进处理装置包括:按矩阵布置的多个量子处理元件;每个处理元件都包括形成界面的硅和电介质材料、以及适于在所述硅中限制一个或多个电子或空穴以形成能够作为量子位操作的量子点的电极布置;在所述处理元件周围设置的多个控制构件;每个控制构件都包括被布置成与所述电极布置相互作用以利用所述处理元件执行量子操作的一个或更多个开关;以及多条控制线;每条控制线都连接至多个控制构件,以使能同时操作多个处理元件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





