[发明专利]用于改善非平面表面的CMP耐刮擦性的方法在审
| 申请号： | 201680045484.9 | 申请日： | 2016-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN107851554A | 公开（公告）日： | 2018-03-27 |
| 发明（设计）人： | J·P·戴维斯;A·F·伯内特;B·E·津恩 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司11245 | 代理人： | 徐东升,赵蓉民 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在所描述的示例中，通过下列步骤来形成微电子器件(100)提供在顶表面(130)处具有凹部(124)的衬底，和形成在衬底的顶表面(130)上方并延伸到凹部(124)中的衬里层(132)。在衬里层(132)上方形成保护层(138)，该保护层延伸到凹部(124)中。CMP工艺(142)从衬底的顶表面(130)上方去除保护层(138)和衬里层(132)，将保护层(138)和衬里层(132)留在凹部(124)中。随后从凹部(124)去除保护层(138)，将衬里层(132)留在凹部(124)中。衬底可以包括具有键合焊盘(116)的互连区域(104)和具有形成凹部(124)的开口的PO层(122)；键合焊盘(116)暴露在凹部(124)中。凹部(124)中的衬里层(132)可以是适于随后形成的引线键合或凸块键合的金属衬里。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 改善 平面 表面 cmp 耐刮擦性 方法 | ||
【主权项】：
一种形成微电子器件的方法，包括以下步骤：在所述微电子器件的键合焊盘上方形成保护外涂层即PO层，使得所述PO层具有第一凹部，所述键合焊盘的顶表面的一部分暴露在所述第一凹部中；在所述PO层上方形成金属衬里并延伸到所述第一凹部中并且延伸到所述键合焊盘的所述顶表面的暴露部分上；在所述金属衬里上方形成保护材料层，所述保护材料层延伸到所述第一凹部中；使用化学机械抛光工艺即CMP工艺从所述PO层上方去除所述保护材料层和所述金属衬里，同时将所述保护材料层的至少一部分和所述金属衬里留在所述第一凹部中；以及随后从所述第一凹部中去除所述保护材料层，将所述金属衬里留在所述第一凹部中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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