[发明专利]用于互连制造的氢氟烃气体辅助的等离子蚀刻在审
| 申请号： | 201680042427.5 | 申请日： | 2016-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN107851564A | 公开（公告）日： | 2018-03-27 |
| 发明（设计）人： | R·L·布鲁斯;E·A·乔瑟夫;J·李;铃木健文 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司;日本瑞翁株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;H01L21/768;H01L21/027;H01L21/3065;H01L21/31;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 酆迅,李峥宇 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在一个实施例中，一种用于互连制造的氢氟烃气体辅助的等离子体蚀刻方法包括提供介电材料层以及通过施加侵蚀性介质蚀刻气体和聚合蚀刻气体的混合物到介电材料层以在介电材料层中蚀刻沟槽。在另一个实施例中，集成电路包括多个半导体器件和连接该多个半导体器件的多条导线。多条导线的间距约为二十八纳米。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 互连 制造 氢氟烃 气体 辅助 等离子 蚀刻 | ||
【主权项】：
一种方法，所述方法包括：提供介电材料层；和通过施加侵蚀性介电蚀刻气体和聚合蚀刻气体的混合物至所述介电材料层以在所述介电材料层中蚀刻沟槽。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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