[发明专利]栅极驱动电路

摘要

驱动器电路具有栅极驱动端子，其产生栅极驱动信号，以控制并联的功率半导体开关(诸如GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件)。其中一个开关最接近栅极驱动端子，使得其栅极驱动回路电感小于其余的更远的、具有更大回路电感的开关。在最靠近的开关的栅极驱动电路中提供附加的电阻器或栅极‑源极电容器，与其余开关相比，这增加最靠近的开关的总栅极电阻，这延迟最靠近的开关的关断时间。该延迟允许其余开关的零电压开关关断，以降低噪声。最靠近的开关难以切断，但是具有最小的回路电感，这允许优化的关断。

主权项

一种装置，包括：驱动器电路，安装在电路板上并且具有至少一个栅极驱动端子，所述驱动器电路被配置为在所述至少一个栅极驱动端子上产生栅极驱动信号；第一半导体开关，安装在所述电路板上并且具有第一栅极、第一漏极和第一源极；第二半导体开关，安装在所述电路板上并且具有第二栅极、第二漏极和第二源极，所述第一半导体开关和所述第二半导体开关以并联布置连接，其中(i)所述第一漏极和所述第二漏极电连接并且(ii)所述第一源极和所述第二源极电连接；第一电连接，在所述驱动器电路的所述栅极驱动端子与所述第一半导体开关的所述第一栅极之间，其中所述第一电连接具有第一长度并且包括具有与所述第一电连接相关联的第一电感的导电材料；与所述第一电连接不同的第二电连接，在所述栅极驱动端子与所述第二半导体开关的所述第二栅极之间，其中所述第二电连接具有第二长度并且包括具有与所述第二电连接相关联的第二电感的导电材料，所述第二长度比所述第一长度长，使得所述第二电感大于所述第一电感；以及阻抗元件，与所述第一半导体开关相关联，所述阻抗元件选自包括以下的组：(i)在所述第一电连接中串联电连接的电阻器和(ii)在所述第一半导体开关的所述第一栅极和所述第一源极两端电连接的电容器，所述阻抗元件具有被配置为相对于所述第二半导体开关的第二关断时间延迟所述第一半导体开关的第一关断时间的阻抗值。