[发明专利]用于微波能量传输的微波集成电路(MMIC)镶嵌电互连有效
| 申请号： | 201680033773.7 | 申请日： | 2016-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN107690698B | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | J·R·拉罗什;J·P·贝当古;T·E·卡齐奥;K·P·叶 | 申请（专利权）人： | 雷声公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522;H01L23/528;H01L23/532;H01L23/66 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;韩宏 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构，具有其中具有有源器件的半导体层。电介质结构设置在所述半导体层上方，该电介质结构中具有端部开口的沟槽。电互连层级设置在沟槽中并电连接到有源器件。多个叠置金属层设置在沟槽中。叠置金属层在其底部和侧壁上设置有导电阻挡金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 微波 能量 传输 微波集成电路 mmic 镶嵌 互连 | ||
【主权项】：
一种微波传输线结构，包括：电介质结构；带状导体，所述带状导体设置在所述电介质结构上方，所述电介质结构中具有端部开口的沟槽；其中，所述带状导体设置在所述沟槽中；其中，所述带状导体包括设置在所述沟槽中的多个叠置金属层；并且其中，该叠置金属层在其底部和侧壁上设置有导电阻挡金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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