[发明专利]无转移的微LED显示器有效
| 申请号： | 201680033575.0 | 申请日： | 2016-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN107787527B | 公开（公告）日： | 2019-11-08 |
| 发明（设计）人： | T·J·奥斯雷 | 申请（专利权）人： | 康宁股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/38;H01L33/42;H01L33/50 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 高宏伟;乐洪咏 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本文描述了基于发光二极管的显示器以及所述显示器的制造方法。具体而言，本文所描述的装置结合了微LED(190)直接发射技术以及将所述装置直接制造在LED晶片上的方法。改善了的装置将硅基材(120)上的GaN层(110')结合入装置结构中，允许单个μLED控制和通过硅进行背面接触，同时避免了蓝宝石的使用或不得不将μLED转移至另一个基材的情况。 | ||
| 搜索关键词： | 转移 led 显示器 | ||
【主权项】：
1.一种显示器装置，其包含：硅基材，所述硅基材包含至少一个通道，所述通道中具有导体材料；结构化的GaN层，所述结构化的GaN层包含位于硅基材上的至少一个独立GaN构件和空隙空间；透明导体，所述透明导体位于所述GaN层上；至少一个壁构件，所述壁构件在所述透明导体上形成井；量子点材料，所述量子点材料定位于所述井内；以及透明基材，所述透明基材位于所述壁构件和井上；其中，所述GaN层通过所述通道暴露于所述导体材料；所述通道沿着它们平面维度的最短路径为1μm至50μm。
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