[发明专利]发光二极管有效
| 申请号： | 201680032775.4 | 申请日： | 2016-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN107690712B | 公开（公告）日： | 2019-06-18 |
| 发明（设计）人： | 金每恞;李剡劤;尹馀镇;李珍雄;柳龙禑 | 申请（专利权）人： | 首尔伟傲世有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/36 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 孙昌浩;李盛泉 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种发光二极管可以包括：发光结构体，所述发光结构体包括多个台面，所述多个台面包括第一导电型半导体层、活性层以及第二导电型半导体层，所述第一导电型半导体层包括暴露于所述多个台面之间的暴露区域；第一电极，电连接于所述第一导电型半导体层；电流阻断层，位于所述多个台面的一部分以及所述暴露区域的一部分上；透明电极层，局部地覆盖所述第二导电型半导体层及所述电流阻断层，且位于所述多个台面的一部分以及所述暴露区域的一部分上；以及第二电极，位于所述电流阻断层及所述透明电极层上，电连接于所述第二导电型半导体层，所述电流阻断层包括：至少一个的连接部，从所述多个台面中的一个台面延伸至邻接于所述一个台面的另一个台面；以及凸出部，从所述连接部凸出，且位于所述暴露区域上。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管，其中，包括：发光结构体，所述发光结构体包括多个台面，所述多个台面包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及活性层，所述第二导电型半导体层位于所述第一导电型半导体层上，所述活性层位于所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间，其中，所述第一导电型半导体层包括暴露于所述多个台面之间的暴露区域；第一电极，位于所述第一导电型半导体层上，且电连接于所述第一导电型半导体层；电流阻断层，位于所述多个台面的一部分以及所述暴露区域的一部分上；透明电极层，局部地覆盖所述第二导电型半导体层及所述电流阻断层，且位于所述多个台面的一部分以及所述暴露区域的一部分上；以及第二电极，位于所述电流阻断层及所述透明电极层上，电连接于所述第二导电型半导体层，所述电流阻断层包括：至少一个的连接部，从所述多个台面中的一个台面延伸至邻接于所述一个台面的另一个台面；以及凸出部，从所述连接部凸出，且位于所述暴露区域上，所述第一导电型半导体层包括：第一侧面，邻接于所述连接部；第二侧面，位于与所述第一侧面相反的方向，其中，所述凸出部朝向所述第一侧面或所述第二侧面凸出。
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