[发明专利]存储器装置和控制存储器装置中的超深掉电模式的方法有效
| 申请号： | 201680031502.8 | 申请日： | 2016-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN107615387B | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | D·刘易斯;J·丁;G·英特拉特;N·冈萨雷斯 | 申请（专利权）人： | 爱德斯托科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C5/14 | 分类号： | G11C5/14 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 吕俊刚;师玮 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 存储器装置和控制存储器装置中的超深掉电模式的方法。一种控制存储器装置中的超深掉电(UDPD)模式的方法，该方法可以包括：经由接口从主机接收写入命令；在存储器装置上开始用于执行该写入命令的写入操作；从状态寄存器读取自动‑UDPD(AUDPD)配置位；完成存储器装置上的写入操作；响应于AUDPD配置位被设定，在写入操作完成时自动进入UDPD模式；以及响应于AUDPD配置位被清除，在写入操作完成时进入待机模式。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 装置 控制 中的 掉电 模式 方法 | ||
【主权项】：
一种控制存储器装置中的超深掉电(UDPD)模式的方法，该方法包括：a)经由接口从主机接收写入命令；b)在所述存储器装置上开始写入操作以执行所述写入命令；c)从状态寄存器读取自动‑UDPD(AUDPD)配置位；d)完成所述存储器装置上的所述写入操作；e)响应于所述AUDPD配置位被设定，在所述写入操作完成时自动进入所述UDPD模式；以及f)响应于所述AUDPD配置位被清除，在所述写入操作完成时进入待机模式。
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