[发明专利]太阳能电池元件及其制造方法有效
申请号: | 201680030373.0 | 申请日: | 2016-05-27 |
公开(公告)号: | CN107690709B | 公开(公告)日: | 2019-09-24 |
发明(设计)人: | 三浦好雄 | 申请(专利权)人: | 京瓷株式会社 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0236;H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 朴英淑 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 为了成为高效率地维持光电变换效率的同时可靠性以及生产性出色的太阳能电池元件,太阳能电池元件(10)具备:在一个表面具有p型半导体区域的半导体基板(1);位于所述p型半导体区域之上且包含氧化铝的钝化层(9);以及位于该钝化层(9)之上且包含具有烷基的聚硅氧烷层的保护层(11)。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种太阳能电池元件,具备:在一个表面具有p型半导体区域的半导体基板;位于所述p型半导体区域之上且包含氧化铝的钝化层;位于该钝化层之上且包含具有烷基的聚硅氧烷层的保护层;以及位于该保护层中的与所述钝化层相反的一侧之上的电极,所述聚硅氧烷层具有二氧化硅粒子,所述电极覆盖所述保护层,并且填充对所述保护层和所述钝化层进行贯通的多个孔以便与所述半导体基板直接接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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