[发明专利]在非易失性随机存取存储器中提供保持电流有效
| 申请号： | 201680028656.1 | 申请日： | 2016-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN107636764B | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | D-S·李-加尼翁;K·潘加尔;R·W·曾;M·J·陶布 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00;G06F11/10;G11C7/04;G11C11/56;H01L29/06;H04L29/06 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 邬少俊;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开的实施例描述了用于控制非易失性随机存取存储器(NVRAM)设备中的电流的技术和配置。在一个实施例中，NVRAM设备可以包括耦合到多个位线的多个存储器单元，多个位线形成具有寄生电容的位线节点。每个存储器单元可以包括具有所需的电平的保持电流以维持单元的导通状态的开关器件。电压供应电路和控制器可以与NVRAM设备耦合。控制器可以控制电路以提供使存储器单元保持在导通状态的电流脉冲。脉冲可以包括响应于在达到设定点之后通过存储器单元的位线节点电容的放电而随时间推移从设定点改变到保持电流电平的简档。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 随机存取存储器 提供 保持 电流 | ||
【主权项】：
一种装置，包括：非易失性随机存取存储器(NVRAM)设备，其包括耦合到多个位线的多个存储器单元，所述多个位线形成具有寄生电容的位线节点，其中每个存储器单元包括具有用于维持所述存储器单元的导通状态所需的电平的保持电流的开关器件；与所述NVRAM设备耦合的电压供应电路；以及与所述电压供应电路耦合的控制器，其中所述控制器用于控制所述电压供应电路以提供使存储器单元保持在导通状态的电流脉冲，其中所述电流脉冲包括响应于在达到设定点之后位线节点寄生电容通过所述存储器单元的放电而随着时间推移从所述设定点改变成所述保持电流电平的简档。
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