[发明专利]OFET用的可光图案化的栅极电介质有效
| 申请号： | 201680025636.9 | 申请日： | 2016-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN107534086B | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特·艾伦·贝尔曼;明倩·何;蒂莫西·爱德华·梅尔斯;钮渭钧;大卫·尼尔·施伊瑟尔;克莉丝蒂·林恩·西蒙顿;亚瑟·劳伦斯·华莱士 | 申请（专利权）人： | 康宁公司 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/10 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;吴启超 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本案提供利用聚合物电介质材料用于栅极电介质和绝缘体材料的制品，以及制造所述制品的方法。所述制品适用于利用有机薄膜晶体管的基于电子器件的装置。 | ||
| 搜索关键词： | ofet 图案 栅极 电介质 | ||
【主权项】：
一种制品，所述制品包含：a.具有一第一表面和一第二表面的一基材；b.一有机半导体层；c.一栅极、一源极和一漏极；以及d.一电介质层；其中所述电介质层包含一聚合物：其中A是含有环氧化物的单体；B是第二单体；n是1或更大的整数；m是1或更大的整数；n:m的比率是约20:1至约1:20；；并且每个R1和R2独立地为氢、取代或未经取代的烷基、取代或未经取代的芳基或杂芳基、取代或未经取代的环烷基、取代或未经取代的芳烷基、酯、烷氧基、硫醇、硫代烷基或卤化物；并且连接子是取代或未经取代的烷基、取代或未经取代的芳基或杂芳基、取代或未经取代的环烷基、芳烷基、酯、醚、烷氧基、烷硫基或硫代烷基。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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