[发明专利]OFET用的可光图案化的栅极电介质

权利要求书

1.一种有机半导体制品，所述制品包含：

a.具有一第一表面和一第二表面的一基材；

b.一有机半导体层；

c.一栅极、一源极和一漏极；以及

d.一电介质层；

其中所述电介质层由以下聚合物构成：

其中A是含有环氧化物的单体；B是第二单体；n是1或更大的整数；m是1或更大的整数；n:m的比率是20:1至1:1；并且每个R₁和R₂独立地为氢、取代或未经取代的烷基、取代或未经取代的芳基或杂芳基、取代或未经取代的环烷基、取代或未经取代的芳烷基、酯、烷氧基、硫醇、硫代烷基或卤化物；并且连接子是取代或未经取代的烷基、取代或未经取代的芳基或杂芳基、取代或未经取代的环烷基、芳烷基、酯、醚、烷氧基、烷硫基或硫代烷基，

其中所述聚合物具有大于1MV/cm的电介质击穿。

2.如权利要求1所述的有机半导体制品，其中n:m的所述比率是3:1至1:1并且每个R₁和R₂独立地为氢、取代或未经取代的烷基、取代或未经取代的芳基或杂芳基。

3.如权利要求1所述的有机半导体制品，其中所述有机半导体层包含半导体小分子、半导体寡聚物或半导体聚合物。

4.如权利要求3所述的有机半导体制品，其中所述半导体小分子、半导体寡聚物或半导体聚合物包含稠合噻吩部分。

5.如权利要求1所述的有机半导体制品，其中所述聚合物可光固化、可光图案化，或在小于250℃的温度下可涂覆成膜。

6.如权利要求1所述的有机半导体制品，其中所述基材包含一加强玻璃基材。

7.如权利要求6所述的有机半导体制品，所述有机半导体制品进一步包含在所述加强玻璃基材的与所述有机半导体层和电介质层相反的表面上的功能层，其中所述功能层选自防眩光层、防污迹层、自清层、防反射层、防指纹层、光学散射层、防分裂层及上述层的组合。

8.如权利要求1所述的有机半导体制品，其中所述制品包含顶部栅极薄膜晶体管、光伏装置、二极管或显示装置。

9.如权利要求8所述的有机半导体制品，其中所述制品包含顶部栅极顶部接触或顶部栅极底部接触薄膜晶体管。

10.一种形成如权利要求1所述的有机半导体制品的方法，所述方法包含：

a.提供具有第一表面和第二表面的基材；

b.提供有机半导体层；

c.提供电介质层；以及

d.提供栅极、源极和漏极；

其中所述电介质层由以下聚合物构成：

其中A是含有环氧化物的单体；B是第二单体；n是1或更大的整数；m是1或更大的整数；n:m的比率是20:1至1:1；并且每个R₁和R₂独立地为氢、取代或未经取代的烷基、取代或未经取代的芳基或杂芳基、取代或未经取代的环烷基、取代或未经取代的芳烷基、酯、烷氧基、硫醇、硫代烷基或卤化物；并且连接子是取代或未经取代的烷基、取代或未经取代的芳基或杂芳基、取代或未经取代的环烷基、芳烷基、酯、醚、烷氧基、烷硫基或硫代烷基，

其中所述聚合物具有大于1MV/cm的电介质击穿。

11.如权利要求10所述的方法，其中n:m的所述比率是3:1至1:1并且每个R₁和R₂独立地为氢、取代或未经取代的烷基、取代或未经取代的芳基或杂芳基。

12.如权利要求10所述的方法，其中所述有机半导体层包含半导体小分子、半导体寡聚物或半导体聚合物。

13.如权利要求12所述的方法，其中所述半导体小分子、半导体寡聚物或半导体聚合物包含稠合噻吩部分。