[发明专利]用于太阳能电池的无气泡的多晶硅有效
| 申请号： | 201680018248.8 | 申请日： | 2016-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN107690705B | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 邱泰庆;吉勒·奥拉夫·普兰;佩里纳·雅弗雷努;纳丹·哈布卡;谢尔盖·菲洛诺维希 | 申请（专利权）人： | 太阳能公司;道达尔销售服务公司 |
| 主分类号： | H01L31/02 | 分类号： | H01L31/02;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/0236;H01L31/0368;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 顾丽波;井杰 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了制造太阳能电池的方法。在一个实施例中，制造太阳能电池的方法包括在基板的背表面上形成非晶介电层，所述基板的所述背表面与所述基板的光接收表面相对。所述方法还包括通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)在所述非晶介电层上形成微晶硅层。所述方法还包括通过PECVD在所述微晶硅层上形成非晶硅层。所述方法还包括对所述微晶硅层和所述非晶硅层进行退火以由所述微晶硅层和所述非晶硅层形成均质多晶硅层。所述方法还包括由所述均质多晶硅层形成发射极区。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 太阳能电池 气泡 多晶 | ||
【主权项】：
1.一种制造太阳能电池的方法，所述方法包括：在基板的背表面上形成非晶介电层，所述基板的所述背表面与所述基板的光接收表面相对；通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)在所述非晶介电层上形成微晶硅层；通过PECVD在所述微晶硅层上形成非晶硅层；对所述微晶硅层和所述非晶硅层进行退火，以由所述微晶硅层和所述非晶硅层形成均质多晶硅层；以及由所述均质多晶硅层形成发射极区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
