[发明专利]采用薄膜晶体管的三维集成电路在审
| 申请号： | 201680017954.0 | 申请日： | 2016-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN107431073A | 公开（公告）日： | 2017-12-01 |
| 发明（设计）人： | J·J·卢皮诺;T·A·阿甘 | 申请（专利权）人： | 3B技术公司 |
| 主分类号： | H01L27/11524 | 分类号： | H01L27/11524;H01L27/1157 |
| 代理公司： | 北京市路盛律师事务所11326 | 代理人： | 王桂玲,刘世杰 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种集成电路，与标准晶体硅集成电路相比，其通过在2D和3D存储器和逻辑器件中使用薄膜晶体管(TFTs)使得更低的成本成为可能并且改进特征，所述2D和3D存储器和逻辑器件包括NAND闪存存储器和其它非易失性存储器(诸如RRAM、NRAM、MRAM、FeRAM或者PCRAM)。通过利用TFTs，密度被提高，并且芯片面积和成本被降低。几层的体积存储器阵列可以外围电路和布线所需的面积显著降低的方式制造。少于5％的面积要求是可能的。可实施超宽的I/O而不损失芯片面积。垂直型TFTs和逻辑门提供了接近或者超过晶体硅的更好的密度和高的速度。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 薄膜晶体管 三维集成电路 | ||
【主权项】：
一种存储器器件，其特征在于，包括：绝缘基材；沉积在绝缘基材上的非单晶有源器件层，非单晶有源器件层包括多个有源器件；在非单晶有源器件层上的绝缘层；以及布置于绝缘层顶部上的三维体积存储器阵列，并且三维体积存储器阵列在多个有源器件的一个或多个的正上方；其中，三维体积存储器阵列通过多个过孔电连接到非单晶有源器件层，所述过孔通过绝缘层并且在三维体积存储器阵列和非单晶有源器件层之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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