[发明专利]比特单元状态保留有效
| 申请号： | 201680017859.0 | 申请日： | 2016-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN107851452B | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | C.奥古斯丁;富岛茂树;J.W.尚茨;吕士濂 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 叶培勇;刘春元 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据本公开的各种实施例，描述了在例如自旋转移力矩（STT）随机访问存储器（RAM）STTRAM的MRAM存储器中的杂散磁场减弱。在一个实施例中，通过生成磁场以补偿可造成存储器的比特单元更改状态的杂散磁场，可促进在STTRAM中比特单元比特值存储状态的保留。在另一实施例中，通过选择性挂起对存储器的行的访问以暂时终止可造成存储器的比特单元更改状态的杂散磁场，可促进在STTRAM中比特单元比特值存储状态的保留。本文中描述了其它方面。 | ||
| 搜索关键词： | 比特 单元 状态 保留 | ||
【主权项】：
一种设备，包含：具有磁阻（MRAM）比特单元的第一行和第二行的MRAM比特单元的阵列，其中每个比特单元包括具有极化的铁磁器件，所述极化在第一比特值存储状态中是平行极化和反平行极化中的一个，并且在第二比特值存储状态中是平行极化和反平行极化中的另一个；以及控制电路系统，配置成访问所述第一行的比特单元，其中所述访问生成第一磁场，并且其中所述控制电路系统还配置成减弱所述第一行的第一磁场以保持所述第二行的比特单元的比特值存储状态。
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