[发明专利]氧化铝膜的成膜方法和形成方法以及溅射装置有效
| 申请号： | 201680014796.3 | 申请日： | 2016-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN107406967B | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | 宫口有典;中村真也;池田佳广;邹弘纲 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京英特普罗知识产权代理有限公司 11015 | 代理人： | 齐永红 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种可形成即便以低温退火处理也能结晶的氧化铝膜的成膜方法和形成方法以及溅射装置。本发明的氧化铝膜的成膜方法包括，在真空室(1)内配置氧化铝制成的靶(2)和待处理基板(W)，向真空室内导入稀有气体，向靶施加高频电力并通过溅射在基板表面形成氧化铝膜，将成膜过程中的真空室内的压力设定在1.6～2.1Pa的范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化铝 方法 形成 以及 溅射 装置 | ||
【主权项】：
1.一种氧化铝膜的形成方法，其包括的成膜工序，所述成膜工序在真空室内配置氧化铝制成的靶和待处理基板，向真空室内导入稀有气体，向靶施加高频电力并通过溅射在基板表面上形成氧化铝膜，所述氧化铝膜的成膜方法的特征在于：在所述成膜工序中，成膜过程中的真空室内的压力设定在 1.6～2.1Pa的范围内，并且在成膜过程中基板温度设定在 450～550℃的范围内，形成非晶氧化铝膜；还包括退火工序，其对所形成的所述非晶氧化铝膜以800～850℃进行退火使其结晶。
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