[发明专利]固态成像元件和电子设备有效
申请号: | 201680011090.1 | 申请日: | 2016-02-12 |
公开(公告)号: | CN107251224B | 公开(公告)日: | 2022-06-14 |
发明(设计)人: | 戸田淳 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;H01L27/146;H04N5/369 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 曹正建;陈桂香 |
地址: | 日本国神奈川*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开涉及一种固态成像元件和电子设备,其能够抑制具有垂直光谱结构的固态成像元件的每个像素中的颜色混合和灵敏度降低。根据本公开的第一方面的固态成像元件是包括垂直光谱结构像素的固态成像元件,所述垂直光谱结构像素包含层叠的多个光电转换单元。所述垂直光谱结构像素包括:第一光电转换单元,其被配置成根据入射光中具有第一波长的光生成电荷;第二光电转换单元,其被配置成根据已经透射通过所述第一光电转换单元的所述入射光中具有第二波长的光生成电荷;以及第一光谱单元,其在所述第一光电转换单元的上表面上形成并且被配置成使具有所述入射光的所述第一波长的光的行进方向横向弯曲。例如,本公开可应用于包括图像传感器的电子设备。 | ||
搜索关键词: | 固态 成像 元件 电子设备 | ||
【主权项】:
一种包括垂直光谱结构像素的固态成像元件,所述垂直光谱结构像素包含层叠的多个光电转换单元,其中所述垂直光谱结构像素包括:第一光电转换单元,其被配置成根据入射光中具有第一波长的光生成电荷;第二光电转换单元,其被配置成根据已经透射通过所述第一光电转换单元的所述入射光中具有第二波长的光生成电荷;以及第一光谱单元,其在所述第一光电转换单元的上表面上形成并且被配置成使具有所述入射光的所述第一波长的光的行进方向横向弯曲。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼半导体解决方案公司,未经索尼半导体解决方案公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201680011090.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的