[发明专利]常关型III族氮化物晶体管有效
| 申请号： | 201680008415.0 | 申请日： | 2016-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN107210323B | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | Q·法里德;N·蒂皮尔内尼 | 申请（专利权）人： | 德州仪器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;B82B1/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在所描述实例中，一种在III‑N层堆叠上含有增强模式GaN FET(102)的半导体装置(100)包含：经低掺杂GaN层(112)；势垒层(114)，其包含铝，位于所述经低掺杂GaN层上方；应力源层(116)，其包含铟，位于所述势垒层上方；及帽盖层(118)，其包含铝，位于所述应力源层上方。栅极凹部(120)延伸穿过所述帽盖层(118)及所述应力源层(116)，但不穿过所述势垒层(114)。所述半导体装置(100)通过以下操作而形成：利用高温MOCVD工艺形成所述势垒层(114)；利用低温MOCVD工艺形成所述应力源层(116)；及利用低温MOCVD工艺形成所述帽盖层(118)。所述栅极凹部(120)通过两步骤蚀刻工艺而形成，所述两步骤蚀刻工艺包含用以移除所述帽盖层(118)的第一蚀刻步骤及用以移除所述应力源层(116)的第二蚀刻步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 常关型 iii 氮化物 晶体管 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其包括：为III‑N材料的经低掺杂层；为III‑N材料的势垒层，其安置在所述经低掺杂层上方，所述势垒层具有小于1原子百分比铟；主要为氮化铟铝的应力源层，其位于所述势垒层上方，所述应力源层具有In0.05Al0.95N到In0.30Al0.70N的化学计量及1纳米到5纳米的厚度；为III‑N材料的帽盖层，其安置在所述应力源层上方；栅极凹部，其在增强模式氮化镓场效应晶体管GaN FET中延伸穿过所述帽盖层及所述应力源层，其中所述栅极凹部不延伸穿过所述势垒层；栅极电介质层，其安置在所述势垒层上方于所述栅极凹部中；及所述增强模式GaN FET的栅极，其安置在所述栅极凹部中的所述栅极电介质层上方。
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