[发明专利]动态标签比较电路以及相关系统和方法有效
申请号: | 201680008228.2 | 申请日: | 2016-02-02 |
公开(公告)号: | CN107210065B | 公开(公告)日: | 2021-04-20 |
发明(设计)人: | K·A·柏曼;F·I·阿塔拉;D·J·W·昂基纳;郑志勋;H·H·阮 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | G11C15/04 | 分类号: | G11C15/04;H03K19/003;H03K19/094 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供采用P型场效应晶体管PFET‑显性评估电路以减少评估时间且因此提高电路性能的动态标签比较电路。动态标签比较电路可被用作或被提供为可搜索存储器(例如,作为非限制性实例,寄存器堆或内容可寻址存储器CAM)的部分。所述动态标签比较电路包含一或多个PFET‑显性评估电路,所述一或多个PFET‑显性评估电路由用作逻辑以执行比较逻辑功能的一或多个PFET组成。所述PFET‑显性评估电路被配置成接收输入搜索数据且比较所述输入搜索数据与可搜索存储器中所含有的标签(例如,地址或数据),以确定所述输入搜索数据是否含于所述存储器中。所述PFET‑显性评估电路被配置成基于所述所接收输入搜索数据是否含于所述可搜索存储器中的评估而控制所述动态标签比较电路中动态节点上的电压/值。 | ||
搜索关键词: | 动态 标签 比较 电路 以及 相关 系统 方法 | ||
【主权项】:
一种动态标签比较电路,其包括:预放电电路,其耦合到评估节点,所述预放电电路被配置成在预放电阶段期间使所述评估节点预放电;P型场效应晶体管PFET‑显性评估电路,其包括:至少一个搜索数据输入,其被配置成接收至少一个输入搜索数据;和至少一个存储数据输入,其被配置成接收至少一个输入存储数据;且所述PFET‑显性评估电路被配置成基于所述至少一个输入搜索数据与所述至少一个输入存储数据的比较在评估阶段对所述评估节点充电。
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