[发明专利]动态标签比较电路以及相关系统和方法

权利要求书

1.一种动态标签比较系统，其包括：

N型场效应晶体管FET NFET-显性预放电电路，其耦合到评估节点，所述NFET-显性预放电电路被配置成在预放电阶段期间使所述评估节点预放电；

第一PFET-显性评估电路，其耦合到存储器中的第一存储器位单元，所述第一PFET-显性评估电路包括：耦合到所述评估节点的至少一个第一PFET；至少一个第一搜索数据输入，其被配置成接收至少一个第一输入搜索数据；和至少一个第一存储数据输入，其被配置成接收所述第一存储器位单元中的至少一个第一输入存储数据；以及

第二PFET-显性评估电路，其耦合到所述存储器中的第二存储器位单元，所述第二PFET-显性评估电路包括：耦合到所述评估节点的至少一个第二PFET；至少一个第二搜索数据输入，其被配置成接收至少一个第二输入搜索数据；和至少一个第二存储数据输入，其被配置成接收所述第二存储器位单元中的至少一个第二输入存储数据；

所述第一PFET-显性评估电路被配置成基于所述至少一个第一输入搜索数据与所述第一存储器位单元中的所述至少一个第一输入存储数据的比较在评估阶段对所述评估节点充电；且

所述第二PFET-显性评估电路被配置成基于所述至少一个第二输入搜索数据与所述第二存储器位单元中的所述至少一个第二输入存储数据的比较在所述评估阶段对所述评估节点充电；

其中所述第一PFET-显性评估电路和所述第二PFET-显性评估电路耦合到接收供应电压的供应电压节点；

所述第一PFET-显性评估电路被配置成基于所述至少一个第一输入搜索数据与所述至少一个第一输入存储数据的所述比较在所述评估阶段将所述评估节点充电到所述供应电压；且

所述第二PFET-显性评估电路被配置成基于所述至少一个第二输入搜索数据与所述至少一个第二输入存储数据的所述比较在所述评估阶段将所述评估节点充电到所述供应电压。

2.根据权利要求1所述的动态标签比较系统，其中

所述第一PFET-显性评估电路被配置成如果所述至少一个第一输入搜索数据匹配所述至少一个第一输入存储数据，那么在所述评估阶段不对所述评估节点充电；且

所述第二PFET-显性评估电路被配置成如果所述至少一个第二输入搜索数据匹配所述至少一个第二输入存储数据，那么在所述评估阶段不对所述评估节点充电。

3.根据权利要求1所述的动态标签比较系统，其中

所述第一PFET-显性评估电路被配置成如果所述至少一个第一输入搜索数据不匹配所述至少一个第一输入存储数据，那么在所述评估阶段对所述评估节点充电；且

所述第二PFET-显性评估电路被配置成如果所述至少一个第二输入搜索数据不匹配所述至少一个第二输入存储数据，那么在所述评估阶段对所述评估节点充电。

4.根据权利要求1所述的动态标签比较系统，其中

所述第一PFET-显性评估电路被配置成如果所述至少一个第一输入搜索数据匹配所述至少一个第一输入存储数据，那么在所述评估阶段对所述评估节点充电；且

所述第二PFET-显性评估电路被配置成如果所述至少一个第二输入搜索数据匹配所述至少一个第二输入存储数据，那么在所述评估阶段对所述评估节点充电。

5.根据权利要求1所述的动态标签比较系统，其中

所述第一PFET-显性评估电路被配置成如果所述至少一个第一输入搜索数据不匹配所述至少一个第一输入存储数据，那么在所述评估阶段不对所述评估节点充电；且

所述第二PFET-显性评估电路被配置成如果所述至少一个第二输入搜索数据不匹配所述至少一个第二输入存储数据，那么在所述评估阶段不对所述评估节点充电。