[发明专利]使用Al‑Ge共晶接合连接组件的3D集成在审
| 申请号： | 201680008148.7 | 申请日： | 2016-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN107408516A | 公开（公告）日： | 2017-11-28 |
| 发明（设计）人： | P·司梅斯;M·玛格索德尼亚 | 申请（专利权）人： | 应美盛股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/58 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 江磊,乐洪咏 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文中提供了一个包括第一CMOS晶片和第二CMOS晶片的器件。共晶接合连接第一CMOS晶片和第二CMOS晶片。共晶接合包含铝和锗，并且共晶接合的熔点低于铝的熔点和锗的熔点。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 al ge 接合 连接 组件 集成 | ||
【主权项】：
一种器件，所述器件包括：第一CMOS晶片；第二CMOS晶片；连接第一CMOS晶片和第二CMOS晶片的共晶接合，其中，共晶接合包含铝和锗，并且共晶接合的熔点低于铝的熔点和锗的熔点。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应美盛股份有限公司，未经应美盛股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201680008148.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
