[发明专利]具有适用于凹槽的接触环密封件及窃流电极的电镀设备有效
| 申请号： | 201680007479.9 | 申请日： | 2016-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN107208299B | 公开（公告）日： | 2019-04-30 |
| 发明（设计）人： | 格雷戈里·J·威尔逊;保罗·R·麦克休 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | C25D7/12 | 分类号： | C25D7/12;C25D17/00;C25D21/12 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 电处理设备具有包含密封件的接触环，所述密封件能够补偿由晶片或工件上的凹槽(或其他不规则体)所产生的电场畸变。改变凹槽处接触环的形状，以减小凹槽处的电流拥挤。形状上的变化改变了窃流电极与晶片边缘之间的电流通路的阻抗，以增加从凹槽的区域抽取的窃流电极电流。结果，晶片被电镀有具有更均匀厚度的膜。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 适用于 凹槽 接触 密封件 流电 电镀 设备 | ||
【主权项】：
1.一种电镀设备，包括：容器，所述容器用于盛装电解质；所述容器中的至少一个阳极及至少一个电流窃流电极；及头部，所述头部具有转体，所述转体包含用于保持晶片的接触环，所述晶片具有凹槽，所述接触环具有密封件，且所述接触环具有凹部，所述凹部适于与晶片上的所述凹槽对齐，其中所述凹部允许相较于所述晶片其余部分有更大的电流从所述晶片上的所述凹槽的区域流动至所述电流窃流电极，以改良电镀厚度均匀性。
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