[发明专利]氧化物烧结体、氧化物溅射靶和氧化物薄膜有效
| 申请号： | 201680006701.3 | 申请日： | 2016-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN107207356B | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 奈良淳史;关秀人 | 申请（专利权）人： | 捷客斯金属株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/453 | 分类号： | C04B35/453;C04B35/00;C23C14/08;C23C14/34;H01B5/14 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 胡嵩麟;王海川 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
一种烧结体，其特征在于，包含锌(Zn)、镓(Ga)、硅(Si)和氧(O)，Zn含量按ZnO换算为5～60摩尔％，Ga含量按Ga |
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| 搜索关键词： | 氧化物 烧结 溅射 薄膜 | ||
【主权项】：
一种烧结体，其特征在于，包含锌(Zn)、镓(Ga)、硅(Si)和氧(O)，Zn含量按ZnO换算为5～60摩尔％，Ga含量按Ga2O3换算为8.5～90摩尔％，Si含量按SiO2换算为0～45摩尔％，在将按ZnO换算的Zn含量设为A(摩尔％)、将按Ga2O3换算的Ga含量设为B(摩尔％)、将按SiO2换算的Si含量设为C(摩尔％)时，满足A≤(B+2C)的条件，且相对密度为90％以上。
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